微電子器件可靠性測試｜加速壽命試驗(yàn)與失效機(jī)理分析

一枚指甲蓋大小的芯片，可能集成了數(shù)十億個(gè)晶體管。它不僅要承受上萬次的開關(guān)操作，還要在高溫、高濕、振動(dòng)甚至輻射環(huán)境中長期穩(wěn)定運(yùn)行。一旦發(fā)生故障，輕則導(dǎo)致設(shè)備重啟，重則引發(fā)安全事故。

然而，現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)壽命往往長達(dá)5~15年，不可能通過自然老化來驗(yàn)證其可靠性。因此，行業(yè)普遍采用加速壽命試驗(yàn)（Accelerated Life Testing, ALT） 方法，在實(shí)驗(yàn)室中施加高于正常水平的環(huán)境或電應(yīng)力，激發(fā)潛在失效模式，從而在短時(shí)間內(nèi)預(yù)測器件的長期表現(xiàn)。

同時(shí)，當(dāng)測試中出現(xiàn)失效時(shí)，僅知道“壞了”是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的——我們必須回答：

• 是哪里壞了？

• 為什么會(huì)壞？

• 是材料問題、設(shè)計(jì)缺陷還是工藝偏差？

這就需要深入的失效機(jī)理分析（Failure Mechanism Analysis）。

我們作為專業(yè)的微電子可靠性測試中心，致力于為企業(yè)提供從加速試驗(yàn)到失效定位再到改進(jìn)建議的一站式技術(shù)服務(wù)，真正實(shí)現(xiàn)“問題可發(fā)現(xiàn)、原因可追溯、風(fēng)險(xiǎn)可預(yù)防”。

一、什么是加速壽命試驗(yàn)？常用方法有哪些？

加速壽命試驗(yàn)是指通過提高溫度、電壓、濕度、機(jī)械載荷等應(yīng)力水平，使器件在較短時(shí)間內(nèi)暴露出在正常使用條件下需數(shù)年才會(huì)顯現(xiàn)的失效現(xiàn)象。其核心原理基于物理失效模型，如：

常見標(biāo)準(zhǔn)加速試驗(yàn)項(xiàng)目包括：

這些試驗(yàn)通常持續(xù)數(shù)百至數(shù)千小時(shí)，期間定期進(jìn)行功能監(jiān)測與參數(shù)測量，記錄關(guān)鍵性能指標(biāo)（如漏電流、閾值電壓、導(dǎo)通電阻等）的退化趨勢。

二、我們的測試能力與技術(shù)優(yōu)勢

作為專注于微電子器件可靠性的第三方檢測機(jī)構(gòu)，我們配備先進(jìn)的環(huán)境模擬設(shè)備、電參數(shù)測試系統(tǒng)與失效分析平臺(tái)，具備以下核心能力：

? 全面的環(huán)境與電應(yīng)力加載能力

• 高溫老化箱：-70℃ ~ +200℃，精度±0.5℃

• 溫度循環(huán)艙：-65℃ ? +150℃，轉(zhuǎn)換時(shí)間<15秒

• 恒溫恒濕箱：10%RH ~ 98%RH，支持PCT（121℃/100%RH）

• 高精度直流電源與參數(shù)分析儀（SMU），支持μA級漏電流檢測

• 自動(dòng)化數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，支持多通道并行監(jiān)控

? 支持多種封裝類型

• QFP、BGA、LGA、SOP、TO-220、DFN/QFN

• SiP系統(tǒng)級封裝、Chiplet異構(gòu)集成

• 功率模塊（IPM、Hybrid Pack）

• MEMS傳感器、光電器件

? 符合國際主流認(rèn)證要求

• 工信部《集成電路產(chǎn)品可靠性評價(jià)規(guī)范》

• AEC-Q100（車規(guī)IC）、AEC-Q101（分立器件）

• JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)

• MIL-PRF-38535（軍品級）

• IATF 16949體系支持

三、失效機(jī)理分析：從“看到現(xiàn)象”到“找到根源”

當(dāng)器件在加速試驗(yàn)中失效后，我們將啟動(dòng)深度失效分析流程，采用“由表及里、非破壞→微破壞→破壞”的遞進(jìn)式分析策略：

第一步：電學(xué)故障定位

• 曲線追蹤儀（Curve Tracer）：判斷短路、開路或漏電位置

• 光發(fā)射顯微鏡（EMMI）：捕捉熱點(diǎn)發(fā)光，定位擊穿點(diǎn)

• 液晶熱圖分析（LCT）：顯示局部過熱點(diǎn)

• SAM超聲掃描顯微鏡：無損檢測內(nèi)部分層、裂紋、空洞

第二步：物理結(jié)構(gòu)剖析

• 開封技術(shù)（Decap）：化學(xué)或等離子去膠，暴露芯片表面

• SEM掃描電鏡 + EDS能譜分析：觀察金屬層斷裂、電遷移、腐蝕等微觀形貌

• FIB聚焦離子束切割：對特定區(qū)域進(jìn)行截面制樣

• TEM透射電鏡（合作平臺(tái)）：納米級結(jié)構(gòu)分析

第三步：根因判定與改進(jìn)建議

綜合所有數(shù)據(jù)，輸出《失效分析報(bào)告》，明確：

• 失效模式（Electrical Overstress? Thermal Runaway? Corrosion?）

• 失效位置（Bond wire斷裂？Gate oxide擊穿？Solder joint疲勞？）

• 主要誘因（設(shè)計(jì)余量不足？材料匹配不良？工藝控制波動(dòng)？）

并提出針對性改進(jìn)建議，如：

• 優(yōu)化鈍化層厚度

• 改進(jìn)焊線工藝參數(shù)

• 提升塑封料防潮性能

• 增加散熱路徑設(shè)計(jì)

四、真實(shí)案例分享

?? 案例一：車載MCU芯片高溫失效分析

某客戶反饋其用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元的MCU在高溫環(huán)境下出現(xiàn)間歇性復(fù)位。經(jīng)HTRB試驗(yàn)復(fù)現(xiàn)問題，在125℃/額定電壓下運(yùn)行72小時(shí)后漏電流異常上升。通過EMMI發(fā)現(xiàn)邏輯區(qū)存在微弱發(fā)光點(diǎn)，進(jìn)一步SEM分析確認(rèn)為ILD（層間介質(zhì)）裂縫導(dǎo)致金屬層間短路。建議加強(qiáng)封裝應(yīng)力管控，優(yōu)化 molding 工藝，后續(xù)批次零復(fù)發(fā)。

?? 案例二：功率MOSFET柵氧擊穿預(yù)警

一款用于充電樁的SiC MOSFET在長期通電測試中發(fā)生突發(fā)性失效。我們在H3TRB條件下對其開展TDDB測試，記錄Vg-t曲線，擬合得出特征壽命超過10萬小時(shí)，滿足15年設(shè)計(jì)目標(biāo)。同時(shí)建立加速因子模型，為客戶制定出廠抽檢方案提供依據(jù)。

?? 案例三：BGA封裝焊點(diǎn)疲勞失效

某通信設(shè)備廠商主板返修率偏高。經(jīng)TCT試驗(yàn)（-55℃?125℃，500次循環(huán)）后發(fā)現(xiàn)部分BGA器件出現(xiàn)開路。SAM顯示焊點(diǎn)處存在明顯裂紋，剖切后SEM證實(shí)為熱機(jī)械應(yīng)力累積所致。建議優(yōu)化PCB布局以減少局部熱集中，并引入底部填充（Underfill）工藝，使返修率下降70%。

五、我們能為您帶來什么價(jià)值？

此外，我們還支持：

• 測試方案定制與標(biāo)準(zhǔn)解讀

• 中英文雙語報(bào)告（支持出口認(rèn)證）

• 數(shù)據(jù)可視化平臺(tái)，實(shí)時(shí)查看測試進(jìn)度與結(jié)果

• 與客戶PLM系統(tǒng)對接，實(shí)現(xiàn)測試數(shù)據(jù)閉環(huán)管理

六、結(jié)語：讓每一顆芯片都經(jīng)得起時(shí)間的考驗(yàn)

在“國產(chǎn)替代”與“高質(zhì)量發(fā)展”并行的時(shí)代，微電子器件的可靠性不再是一個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)，而是決定企業(yè)能否贏得市場的戰(zhàn)略要素。

我們始終堅(jiān)持以科學(xué)的方法、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度、專業(yè)的平臺(tái)，為每一家追求卓越的企業(yè)提供值得信賴的可靠性測試與失效分析服務(wù)。

從晶圓到封裝，從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線，
我們愿做您最堅(jiān)實(shí)的“幕后守護(hù)者”。