什么是氮化鎵？
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵測(cè)試項(xiàng)目
對(duì)比分析、材料熱分析、定性定量分析、分子量分析、熔點(diǎn)、密度、等;
氮化鎵測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
DB35/T 1509-2015發(fā)光二極管氮化鎵倒裝芯片技術(shù)規(guī)范
GB/T 30854-2014LED發(fā)光用氮化鎵基外延片
GB/T 31092-2014藍(lán)寶石單晶晶錠
GB/T 32188-2015氮化鎵單晶襯底片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測(cè)試方法
GB/T 32189-2015氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的原子力顯微鏡檢驗(yàn)法
GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量 陰極熒光顯微鏡法
GB/T 36705-2018氮化鎵襯底片載流子濃度的測(cè)試 拉曼光譜法
GB/T 37053-2018氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范
GB/T 37466-2019氮化鎵激光剝離設(shè)備
SJ 21442-2018GaN-SI 型半絕緣氮化鎵單晶片規(guī)范
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